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  1. 学術雑誌論文

Mechanism analysis of photoleakage current in ZnO thin-film transistors using device simulation

http://hdl.handle.net/10173/954
http://hdl.handle.net/10173/954
ea55f552-4312-4dc1-8e23-66ae8870a159
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL_97_163503.pdf APL_97_163503.pdf (728.6 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2013-03-16
タイトル
タイトル Mechanism analysis of photoleakage current in ZnO thin-film transistors using device simulation
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 hole traps
キーワード
主題Scheme Other
主題 II-VI semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 leakage currents
キーワード
主題Scheme Other
主題 photoconductivity
キーワード
主題Scheme Other
主題 radiation effects
キーワード
主題Scheme Other
主題 Schottky barriers
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor device models
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor thin films
キーワード
主題Scheme Other
主題 thin film transistors
キーワード
主題Scheme Other
主題 tunnelling
キーワード
主題Scheme Other
主題 wide band gap semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 zinc compounds
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Kimura, Mutsumi

× Kimura, Mutsumi

Kimura, Mutsumi

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Kamada, Yudai

× Kamada, Yudai

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Fujita, Shizuo

× Fujita, Shizuo

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Hiramatsu, Takahiro

× Hiramatsu, Takahiro

Hiramatsu, Takahiro

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Matsuda, Tokiyoshi

× Matsuda, Tokiyoshi

Matsuda, Tokiyoshi

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Furuta, Mamoru

× Furuta, Mamoru

Furuta, Mamoru

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Hirao, Takashi

× Hirao, Takashi

Hirao, Takashi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We analyzed the photoleakage current (Ileak) in ZnO thin-film transistors using device simulation. The dependences of Ileak on the location of light irradiation and drain voltage are reproduced by considering a Schottky barrier at the source contact using a two-dimensional device simulation. First, carrier generation is induced by light irradiation, the generated holes accumulate near the source contact, and some of these are captured in the donor traps. Next, the Schottky barrier becomes narrow, and electron injection increases via a tunneling effect. This discussion also suggests that the off-current is exceedingly low because the Schottky barrier prevents electron injection.
書誌情報 Aplied Physics Letters

巻 97, 号 16, p. 163503-1-163503-3, 発行日 2010-10-10
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1077-3118
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.3502563
権利
権利情報 Copyright 2010 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Applied Physics Letters 97, 163503 (2010) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/97/163503.
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
関係URI
識別子タイプ URI
関連識別子 http://link.aip.org/link/?apl/97/163503
関連名称 http://link.aip.org/link/?apl/97/163503
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Ver.1 2023-05-15 13:42:18.516102
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