WEKO3
アイテム
Mechanism analysis of photoleakage current in ZnO thin-film transistors using device simulation
http://hdl.handle.net/10173/954
http://hdl.handle.net/10173/954ea55f552-4312-4dc1-8e23-66ae8870a159
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
APL_97_163503.pdf (728.6 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2013-03-16 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Mechanism analysis of photoleakage current in ZnO thin-film transistors using device simulation | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | hole traps | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | II-VI semiconductors | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | leakage currents | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | photoconductivity | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | radiation effects | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Schottky barriers | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | semiconductor device models | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | semiconductor thin films | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | thin film transistors | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | tunnelling | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | wide band gap semiconductors | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | zinc compounds | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
Kimura, Mutsumi
× Kimura, Mutsumi× Kamada, Yudai× Fujita, Shizuo× Hiramatsu, Takahiro× Matsuda, Tokiyoshi× Furuta, Mamoru× Hirao, Takashi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We analyzed the photoleakage current (Ileak) in ZnO thin-film transistors using device simulation. The dependences of Ileak on the location of light irradiation and drain voltage are reproduced by considering a Schottky barrier at the source contact using a two-dimensional device simulation. First, carrier generation is induced by light irradiation, the generated holes accumulate near the source contact, and some of these are captured in the donor traps. Next, the Schottky barrier becomes narrow, and electron injection increases via a tunneling effect. This discussion also suggests that the off-current is exceedingly low because the Schottky barrier prevents electron injection. | |||||
| 書誌情報 |
Aplied Physics Letters 巻 97, 号 16, p. 163503-1-163503-3, 発行日 2010-10-10 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 1077-3118 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.3502563 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | Copyright 2010 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Applied Physics Letters 97, 163503 (2010) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/97/163503. | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 関係URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://link.aip.org/link/?apl/97/163503 | |||||
| 関連名称 | http://link.aip.org/link/?apl/97/163503 | |||||
