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アイテム / Electrical Properties of the Thin-Film Transistor With an Indium–Gallium–Zinc Oxide Channel and an Aluminium Oxide Gate Dielectric Stack Formed by Solution-Based Atmospheric Pressure Deposition / IEEE_EDL_33_6_851
IEEE_EDL_33_6_851
| ファイル | ライセンス |
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 IEEE_EDL_33_6_851.pdf (402.2 kB)
sha256
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| 公開日 | 2019-02-13 | |||||
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| ファイル名 | IEEE_EDL_33_6_851.pdf | |||||
| 本文URL | https://kutarr.kochi-tech.ac.jp/record/199/files/IEEE_EDL_33_6_851.pdf | |||||
| ラベル | IEEE_EDL_33_6_851.pdf | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 402.2 kB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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