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  1. 学位論文(博士)

Study on Solid-Phase Crystallization Mechanism of Hydrogen-Doped Indium Oxide for Thin-Film Transistor Application

https://doi.org/10.32149/0002000266
https://doi.org/10.32149/0002000266
3ae92eb6-b596-4583-883c-842614b0d19a
名前 / ファイル ライセンス アクション
1258011.pdf 博士論文全文 (6.4 MB)
 Download is available from 2027/6/30.
1258011-1.pdf 論文内容の要旨 (87 KB)
 Download is available from 2027/6/30.
1258011-2.pdf 審査結果の要旨 (174 KB)
 Download is available from 2027/6/30.
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2025-04-23
タイトル
タイトル Study on Solid-Phase Crystallization Mechanism of Hydrogen-Doped Indium Oxide for Thin-Film Transistor Application
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
資源タイプ doctoral thesis
ID登録
ID登録 10.32149/0002000266
ID登録タイプ JaLC
アクセス権
アクセス権 embargoed access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_f1cf
著者 Xiaoqian Wang

× Xiaoqian Wang

en Xiaoqian Wang

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bibliographic_information
p. 1, 発行日 2025-03-18
その他の言語のタイトル
その他のタイトル 水素添加酸化インジウム薄膜の固相結晶化メカニズムとそ の薄膜トランジスタ応用
言語 ja
出版者
出版者 高知工科大学
言語 ja
アドバイザー
en
Mamoru Furuta
学位名
言語 ja
学位名 博士(工学)
item_4_degree_grantor_63
言語 ja
学位授与機関名 高知工科大学
学位授与年月日
学位授与年月日 2025-03-18
dissertation_number
学位授与番号 甲第439号
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Ver.1 2025-04-23 08:18:41.899025
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