WEKO3
アイテム
A study of degradation mechanism of In-Ga-Zn-O thin-film transistor under negative bias-illumination stress and positive bias stress for highly reliable display devices.
http://hdl.handle.net/10173/1324
http://hdl.handle.net/10173/1324b3575dc9-45ce-40a2-b132-fda2af4411cd
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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博士論文全文 (4.1 MB)
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審査結果の要旨 (200.7 kB)
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論文内容の要旨 (342.0 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-01-05 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | A study of degradation mechanism of In-Ga-Zn-O thin-film transistor under negative bias-illumination stress and positive bias stress for highly reliable display devices. | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 著者 |
MAI, Phi Hung
× MAI, Phi Hung |
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| 引用 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 高知工科大学, 博士論文. | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2015-09 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | 酸化物半導体薄膜トランジスタの信頼性劣化メカニズムと高信頼性ディスプレイへの応用に関する研究 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 高知工科大学 | |||||
| アドバイザー | ||||||
| 値 | 古田,守 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
| 学位授与機関識別子 | 26402 | |||||
| 学位授与機関名 | 高知工科大学 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2015-09-30 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第280号 | |||||
