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  1. 学術雑誌論文

Low resistivity Ga-doped ZnO thin films of less than 100 nm thickness prepared by ion plating with direct current arc discharge

http://hdl.handle.net/10173/588
http://hdl.handle.net/10173/588
8b492d28-3c54-4bea-b9b5-46d349f14ea8
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL91_5_051915.pdf APL91_5_051915.pdf (284.0 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2010-11-16
タイトル
タイトル Low resistivity Ga-doped ZnO thin films of less than 100 nm thickness prepared by ion plating with direct current arc discharge
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 crystal microstructure
キーワード
主題Scheme Other
主題 electrical resistivity
キーワード
主題Scheme Other
主題 gallium
キーワード
主題Scheme Other
主題 grain growth
キーワード
主題Scheme Other
主題 II-VI semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 ion plating
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor thin films
キーワード
主題Scheme Other
主題 wide band gap semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 zinc compounds
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Yamada, Takahiro

× Yamada, Takahiro

Yamada, Takahiro

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Miyake, Aki

× Miyake, Aki

Miyake, Aki

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Kishimoto, Seiichi

× Kishimoto, Seiichi

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Yamamoto, Naoki

× Yamamoto, Naoki

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Yamamoto, Tetsuya

× Yamamoto, Tetsuya

Yamamoto, Tetsuya

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Low resistivity Ga-doped ZnO films were prepared on a glass substrate by ion plating with direct current arc discharge. Thickness dependent changes in the electrical properties of the films are reported, focusing on the thin films of less than 100 nm thickness. Structural analyses showed that the thinnest film of 30 nm thickness consists of well-oriented columnar grains normal to the substrate, and the resistivity was as low as 4.4×10−4 Ω cm. The changes in lattice strain and c-axis fluctuation with the growth of grains are also shown to be associated with the electrical properties.
書誌情報 Applied Physics Letters

巻 91, 号 5, p. 051915-1-051915-3, 発行日 2007-08-01
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.2767213
権利
権利情報 Copyright 2007 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Appl. Phys. Lett. 91, 051915 (2007) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/91/051915
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
関係URI
識別子タイプ URI
関連識別子 http://link.aip.org/link/?apl/91/051915
関連名称 http://link.aip.org/link/?apl/91/051915
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