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  1. 学術雑誌論文

Photoluminescence of an Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 to 400 K

http://hdl.handle.net/10173/746
http://hdl.handle.net/10173/746
7172de65-dc3c-4f92-9498-7d0e0d7dd2a4
名前 / ファイル ライセンス アクション
JAP_106_9_093523.pdf JAP_106_9_093523.pdf (176.5 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2011-10-20
タイトル
タイトル Photoluminescence of an Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 to 400 K
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 aluminium compounds
キーワード
主題Scheme Other
主題 electron-hole recombination
キーワード
主題Scheme Other
主題 energy gap
キーワード
主題Scheme Other
主題 gallium arsenide
キーワード
主題Scheme Other
主題 III-V semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 photoluminescence
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor quantum wells
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Dang, Giang T.

× Dang, Giang T.

Dang, Giang T.

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Kanbe, Hiroshi

× Kanbe, Hiroshi

Kanbe, Hiroshi

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Taniwaki, Masafumi

× Taniwaki, Masafumi

Taniwaki, Masafumi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Photoluminescence (PL) of an unintentionally doped Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well (MQW) has been measured at temperatures from 5 to 400 K. It was found that the ratio of the intensity of the n = 1 electron-light hole transition (1e-1lh) to that of the n = 1 electron-heavy hole transition (1e-1hh) can be described by an exponential function of reciprocal temperature. The excitation-power dependence of the 1e-1hh transition PL intensity measured at temperatures from 5 to 296 K in steps of 15–20 K showed that the relative contribution of free-carrier recombination gradually increases from 5 to 120 K and then remains constant. This tendency was confirmed by the temperature dependence of the energy difference between the 1e-1hh transition and the bulk GaAs band gap.
書誌情報 Journal of Applied Physics

巻 106, 号 9, p. 093523-1-093523-5, 発行日 2009-11-13
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979@@@1089-7550
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547@@@AA11868165
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.3256222
権利
権利情報 Copyright 2009 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in J. Appl. Phys. 106, 093523 (2009) and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/106/093523
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
関係URI
識別子タイプ URI
関連識別子 http://link.aip.org/link/?jap/106/093523
関連名称 http://link.aip.org/link/?jap/106/093523
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