WEKO3
アイテム
Epitaxial growth of CoSi2 on hydrogen-terminated Si(001)
http://hdl.handle.net/10173/787
http://hdl.handle.net/10173/787e976e8b7-8551-455e-9de8-1750fd9010cd
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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APL_82_12_1842.pdf (707.8 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2012-02-23 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Epitaxial growth of CoSi2 on hydrogen-terminated Si(001) | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | cobalt compounds | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | metallic epitaxial layers | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | hydrogen | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | elemental semiconductors | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | molecular beam epitaxial growth | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | vacuum deposited coatings | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | electron beam deposition | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | semiconductor-metal boundaries | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
Ishida, K.
× Ishida, K.× Miura, Y.× Hirose, K.× Harada, S.× Narusawa, T. |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We demonstrate that CoSi2 grows epitaxially on H-terminated Si(001) and present the growth mechanism. It was found that direct reaction of Co with Si is suppressed on H-terminated Si below 400 °C. Thus, the hydrogen at the Co/Si interface hinders the formation of Co2Si and CoSi. Upon thermal desorption of hydrogen at around 400–550 °C, CoSi2, which is closely lattice-matched to Si(001), grows on Si(001) and thus, thin epitaxial CoSi2 films are formed on Si(001). The {111}-faceting was completely suppressed in the epitaxial CoSi2/Si(001), leading to the atomically flat interface. | |||||
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters 巻 82, 号 12, p. 1842-1844, 発行日 2003 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0003-6951@@@1077-3118 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00543431@@@AA11868096 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.1562335 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | Copyright 2003 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Appl. Phys. Lett. 82, 1842 (2003) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/82/1842 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 関係URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://link.aip.org/link/?apl/82/1842 | |||||
| 関連名称 | http://link.aip.org/link/?apl/82/1842 | |||||
