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  1. 学術雑誌論文

Epitaxial growth of CoSi2 on hydrogen-terminated Si(001)

http://hdl.handle.net/10173/787
http://hdl.handle.net/10173/787
e976e8b7-8551-455e-9de8-1750fd9010cd
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL_82_12_1842.pdf APL_82_12_1842.pdf (707.8 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-02-23
タイトル
タイトル Epitaxial growth of CoSi2 on hydrogen-terminated Si(001)
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 cobalt compounds
キーワード
主題Scheme Other
主題 metallic epitaxial layers
キーワード
主題Scheme Other
主題 silicon
キーワード
主題Scheme Other
主題 hydrogen
キーワード
主題Scheme Other
主題 elemental semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 molecular beam epitaxial growth
キーワード
主題Scheme Other
主題 vacuum deposited coatings
キーワード
主題Scheme Other
主題 electron beam deposition
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor-metal boundaries
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Ishida, K.

× Ishida, K.

Ishida, K.

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Miura, Y.

× Miura, Y.

Miura, Y.

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Hirose, K.

× Hirose, K.

Hirose, K.

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Harada, S.

× Harada, S.

Harada, S.

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Narusawa, T.

× Narusawa, T.

Narusawa, T.

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We demonstrate that CoSi2 grows epitaxially on H-terminated Si(001) and present the growth mechanism. It was found that direct reaction of Co with Si is suppressed on H-terminated Si below 400 °C. Thus, the hydrogen at the Co/Si interface hinders the formation of Co2Si and CoSi. Upon thermal desorption of hydrogen at around 400–550 °C, CoSi2, which is closely lattice-matched to Si(001), grows on Si(001) and thus, thin epitaxial CoSi2 films are formed on Si(001). The {111}-faceting was completely suppressed in the epitaxial CoSi2/Si(001), leading to the atomically flat interface.
書誌情報 Applied Physics Letters

巻 82, 号 12, p. 1842-1844, 発行日 2003
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951@@@1077-3118
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431@@@AA11868096
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.1562335
権利
権利情報 Copyright 2003 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Appl. Phys. Lett. 82, 1842 (2003) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/82/1842
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
関係URI
識別子タイプ URI
関連識別子 http://link.aip.org/link/?apl/82/1842
関連名称 http://link.aip.org/link/?apl/82/1842
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Ver.1 2023-05-15 13:42:51.769860
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