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  1. 学術雑誌論文

Effects of elastic stress introduced by a silicon nitride cap on solid-phase crystallization of amorphous silicon

http://hdl.handle.net/10173/797
http://hdl.handle.net/10173/797
7262b622-6748-4752-b004-b2a0841ac066
名前 / ファイル ライセンス アクション
JAP_86_002278.pdf JAP_86_002278.pdf (352.4 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-03-17
タイトル
タイトル Effects of elastic stress introduced by a silicon nitride cap on solid-phase crystallization of amorphous silicon
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Kimura, Yasuo

× Kimura, Yasuo

Kimura, Yasuo

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Kishi, Masato

× Kishi, Masato

Kishi, Masato

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Katoda, Takashi

× Katoda, Takashi

Katoda, Takashi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Effects of stress on solid-phase crystallization of amorphous silicon (a-Si) were studied by laser Raman spectroscopy. Compressive stress was introduced in a-Si with a Si3N4 cap. The speed of crystallization decreased with the increase of the stress while it increased again with an additional cap of SiO2 on a Si3N4 cap. A SiO2 cap introduced tensile stress in an a-Si film and relaxed compressive stress by a Si3N4 cap. The reason why crystallization of a-Si is suppressed is that the stress is elastic and that it does not relax with crystallization.
書誌情報 Journal of Applied Physics

巻 86, 号 4, p. 2278-2280, 発行日 1999-08-15
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979@@@1089-7550
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547@@@AA11868165
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.371042
権利
権利情報 Copyright 1999 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
The following article appeared in Journal of Applied Physics 86, 002278 (1999) and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/86/002278.
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
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Ver.1 2023-05-15 13:42:41.347920
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