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  1. 学術雑誌論文

Effects of chemical stoichiometry of channel region on bias instability in ZnO thin-film transistors

http://hdl.handle.net/10173/953
http://hdl.handle.net/10173/953
87b9bf5e-5e1a-45fc-a5ac-97e3f13de373
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL_98_103512.pdf APL_98_103512.pdf (531.7 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2013-03-16
タイトル
タイトル Effects of chemical stoichiometry of channel region on bias instability in ZnO thin-film transistors
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 field effect transistors
キーワード
主題Scheme Other
主題 II-VI semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 stoichiometry,
キーワード
主題Scheme Other
主題 thin film transistors
キーワード
主題Scheme Other
主題 wide band gap semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 zinc compounds
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Kamada, Yudai

× Kamada, Yudai

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Fujita, Shizuo

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Kimura, Mutsumi

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Hiramatsu, Takahiro

× Hiramatsu, Takahiro

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Matsuda, Tokiyoshi

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Furuta, Mamoru

× Furuta, Mamoru

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Hirao, Takashi

× Hirao, Takashi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We investigated effects of chemical stoichiometry of ZnO channel, controlled by oxygen partial pressure during deposition, on bias instability for ZnO thin-film transistors. Parallel threshold voltage shifts were mainly enhanced under gate bias stresses due to charge trapping when O-rich ZnO was used for channel layer. On the contrary, negative threshold voltage shifts were observed under both gate and drain bias stresses when Zn-rich ZnO was used for channel layer. This degradation was enhanced regardless of the bias polarity and the direction, attributing to electrically activated trap generations.
書誌情報 Aplied Physics Letters

巻 98, 号 10, p. 103512-1-103512-3, 発行日 2011-03-10
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1077-3118
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.3557066
権利
権利情報 Copyright 2013 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Applied Physics Letters 98, 103512 (2011) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/98/103512.
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
関係URI
識別子タイプ URI
関連識別子 http://link.aip.org/link/?apl/98/103512
関連名称 http://link.aip.org/link/?apl/98/103512
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Ver.1 2023-05-15 13:42:20.754897
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