WEKO3
アイテム
Analysis of a wafer bonded Ge/Si heterojunction by transmission electron microscopy
http://hdl.handle.net/10173/593
http://hdl.handle.net/10173/593f3f632cc-d080-45ea-978e-f913f1e679ad
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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APL_91_14_142119.pdf (349.6 kB)
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Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2010-11-22 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Analysis of a wafer bonded Ge/Si heterojunction by transmission electron microscopy | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | crystal defects | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | elemental semiconductors, | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | germanium, lattice constants | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | photodetectors | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | photodiodes | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | semiconductor heterojunctions | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | silicon | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | transmission electron microscopy | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | wafer bonding | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | X-ray chemical analysis | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | X-ray crystallography | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | journal article | |||||
著者 |
Kanbe, Hiroshi
× Kanbe, Hiroshi× Miyaji, Masayuki× Hirose, Mami× Nitta, Noriko× Taniwaki, Masafumi |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | A wafer-bonded Ge/Si heterojunction was observed using transmission electron microscopy to analyze its crystallographic properties and to reveal atomic profiles at the interface by energy dispersive x-ray spectroscopy. There was a 2 nm thick transition layer at the heterojunction, where an aligned lattice image from Si to Ge together with a disordered lattice image could be observed. In the Si layer close to the interface, islandlike modified regions were observed to exist, where a large amount of Ge was detected. Oxygen was also detected accumulated at the interface. | |||||
書誌情報 |
Applied Physics Letters 巻 91, 号 14, p. 142119-1-142119-3, 発行日 2007-10-04 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 0003-6951 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA00543431 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
識別子タイプ | DOI | |||||
関連識別子 | 10.1063/1.2795797 | |||||
権利 | ||||||
権利情報 | Copyright 2007 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Appl. Phys. Lett. 91, 142119 (2007) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/91/142119 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | American Institute of Physics | |||||
関係URI | ||||||
識別子タイプ | URI | |||||
関連識別子 | http://link.aip.org/link/?apl/91/142119 | |||||
関連名称 | http://link.aip.org/link/?apl/91/142119 |