| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2010-12-11 |
| タイトル |
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タイトル |
集束イオンビーム照射と化学エッチングを併用した3次元微細構造形成（微細構造形成の高能率化） |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Focused Ion Beam |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Wet Chemical Etching |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Maskless Patterning |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Three-Dimensional Microfabrication |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Single Crystal Silicon |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 著者 |
川堰, 宣隆
深瀬, 達也
森田, 昇
芦田, 極
谷口, 淳
宮本, 岩男
百田, 佐多生
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
This study aims to fabricate three−dimensional microstructures on a silicon surface using focused ion beam (FIB) irradiation and wet chemical etching. A silicon surface irradiated with FIB withstands etching in KOH, and consequently protruding structures can be fabricated on the irradiated area. Three−dimensional fabrication is possible by taking advantage of the change in the etch stop effect due to irradiation conditions. To fabricate higher structures efficiently, height dependences on various fabrication conditions were nvestigated. As a result, the height of the structures can be controlled by ion dose, in spite of the higher dose condition. A hard−to−etch mask was formed by preventing the channeling effect. Higher structures were fabricated with shorter etch time at the high−temperature conditions. Etching selectivity increased at high dose and low etchant concentration. These results enable us to fabricate higher structures efficiently. |
| 書誌情報 |
日本機械学會論文集. C編 = Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. C
巻 74,
号 748,
p. 3056-3062,
発行日 2008-12
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0387-5024 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00187463 |
| 権利 |
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権利情報 |
社団法人日本機械学会 |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
Three−Dimensional Microfabrication Using Focused Ion Beam |
| 出版者 |
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出版者 |
日本機械学会 |
JSMEC_74_748_3056.pdf (1.6 MB)
