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  1. 紀要
  2. 第07巻

酸化亜鉛(ZnO)トランジスタの開発とその次世代デバイスへの応用

http://hdl.handle.net/10173/524
http://hdl.handle.net/10173/524
7840bf41-9616-4396-9bd2-4b3ae7622d4c
名前 / ファイル ライセンス アクション
rb7_001-013.pdf rb7_001-013.pdf (3.1 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2010-09-03
タイトル
タイトル 酸化亜鉛(ZnO)トランジスタの開発とその次世代デバイスへの応用
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 古田, 守

× 古田, 守

古田, 守

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平松, 孝浩

× 平松, 孝浩

平松, 孝浩

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松田, 時宜

× 松田, 時宜

松田, 時宜

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平尾, 孝

× 平尾, 孝

平尾, 孝

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 3951
姓名 Furuta, Mamoru
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 3952
姓名 Hiramatsu, Takahiro
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 3953
姓名 Matsuda, Tokiyoshi
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 3954
姓名 Hirao, Takashi
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 酸化亜鉛は資源が豊富、人体に安全、かつ大面積基板への展開が容易なワイドギャップ半導体材料であり、非晶質シリコンに比較して高い電界効果移動度が得られることから電界効果デバイスとして大面積エレクトロニクス応用への期待が高まっている。また、ワイドギャップ半導体である酸化亜鉛にはシリコンでは実現できない可視光透明性という優れた特徴を有しており、透明性を活かした新たな機能デバイスを創出できる。本稿では、酸化亜鉛トランジスタ技術の開発と、次世代情報デバイスであるスーパーハイビジョンに向けた高精細ディスプレイ応用、酸化亜鉛透明トランジスタを信号読出し回路に用いた高精細撮像デバイスに向けた研究開発に関して報告する。
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Zinc oxide (ZnO) is a safe and abundant wide-gap semiconductor material. Since field effect mobility of ZnO is higher than that of amorphous silicon (a-Si:H), ZnO thin-film transistor (ZnO TFT) for large-area electronics has been expected. Furthermore, transparent ZnO TFT can create novel devices that cannot be achieved by conventional silicon-based technology. In this report, we report on development of ZnO TFTs and its application to the next generation information devices.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 招待論文
書誌情報 高知工科大学紀要

巻 7, 号 1, p. 1-13, 発行日 2010-07-29
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1348-4842
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11954573
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
その他のタイトル
その他のタイトル Zinc Oxide Thin-Film Transistors and Its Application to Next Generation Information Devices
出版者
出版者 高知工科大学
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Ver.1 2023-05-15 13:06:34.018333
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