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  1. 学術雑誌論文

Thermal analysis of amorphous oxide thin-film transistor degraded by combination of joule heating and hot carrier effect

http://hdl.handle.net/10173/952
http://hdl.handle.net/10173/952
8c889e2c-bd46-4d44-a19b-182248abc406
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL_102_053506.pdf APL_102_053506.pdf (2.0 MB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2013-03-15
タイトル
タイトル Thermal analysis of amorphous oxide thin-film transistor degraded by combination of joule heating and hot carrier effect
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 hot carriers
キーワード
主題Scheme Other
主題 II-VI semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 indium compounds
キーワード
主題Scheme Other
主題 thin film transistors
キーワード
主題Scheme Other
主題 tin compounds
キーワード
主題Scheme Other
主題 wide band gap semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 zinc compounds
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Urakawa, Satoshi

× Urakawa, Satoshi

Urakawa, Satoshi

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Tomai, Shigekazu

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Ueoka, Yoshihiro

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Yamazaki, Haruka

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Ishikawa, Yasuaki

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Uraoka, Yukiharu

× Uraoka, Yukiharu

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Stability is the most crucial issue in the fabrication of oxide thin-film transistors (TFTs) for next-generation displays. We have investigated the thermal distribution of an InSnZnO TFT under various gate and drain voltages by using an infrared imaging system. An asymmetrical thermal distribution was observed at a local drain region in a TFT depending on bias stress. These phenomena were decelerated or accelerated with stress time. We discussed the degradation mechanism by analyzing the electrical properties and thermal distribution. We concluded that the degradation phenomena are caused by a combination of Joule heating and the hot carrier effect.
書誌情報 Aplied Physics Letters

巻 102, 号 5, p. 053506-1-053506-4, 発行日 2013-02-06
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1077-3118
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.4790619
権利
権利情報 Copyright 2013 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in Applied Physics Letters 102, 053506 (2013) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/102/053506.
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
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Ver.1 2023-05-15 13:42:22.247259
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